特許
J-GLOBAL ID：200903051255163786
熱電発電素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008349
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209511
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 メッキ法により得られた熱電材料の膜を積層し、機械加工により溝形成する、微小な熱電発電素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 導電性を有するメッキ電極用基板を電極として電流を与えて、p型およびn型熱電材料の膜を形成してp型およびn型メッキ膜形成基板を得る工程と、絶縁性基板とp型またはn型熱電材料の膜の間に、接着層を形成して接合する工程と、メッキ電極用基板を除去する工程と、この工程を繰り返して、p型熱電材料の膜とn型熱電材料の膜とが接着層により交互に接合された多層積層体を形成する工程と、多層積層体に一定間隔の溝を形成し、p型棒状素子とn型棒状素子を形成する工程と、これらの溝内に絶縁層を形成する工程と、p型棒状素子とn型棒状素子の端部を導電体で直列に配線する工程をゆうする。
請求項（抜粋）：
導電性を有するメッキ電極用基板を電極として電流を与えてメッキすることにより所定の膜厚のp(n)型熱電材料の膜を形成してp(n)型メッキ膜形成基板を得る工程と、第1の絶縁性基板とp(n)型メッキ膜形成基板のp(n)型熱電材料の膜の間に接着層を形成して接合する工程と、メッキ電極用基板を除去して1層積層層体を形成する工程と、第2の絶縁性基板とp(n)型メッキ膜形成基板のp(n)型熱電材料の膜の間に接着層を形成して接合する工程と、メッキ電極用基板を除去してp(n)型メッキ膜転写基板を形成する工程と、導電性を有する別のメッキ電極用基板を電極として電流を与えてメッキすることにより所定の膜厚のn(p)型熱電材料の膜を形成してn(p)型メッキ膜形成基板を得る工程と、第2の絶縁性基板とn(p)型メッキ膜形成基板のn(p)型熱電材料の膜の間に接着層を形成して接合する工程と、メッキ電極用基板を除去してn(p)型メッキ膜転写基板を形成する工程と、1層積層体のp(n)型熱電材料の膜とn(p)型メッキ膜転写基板の第2の絶縁性基板の間に接着層を形成して接合し2層積層体を形成する工程と、2層積層体のn(p)型熱電材料の膜とp(n)型メッキ膜転写基板の第2の絶縁性基板の間に接着層を形成して接合し3層積層体を形成する工程と、1層積層体から2層積層体を、2層積層体から3層積層体を形成したのと同様の工程を繰り返して、p型熱電材料の膜とn型熱電材料の膜とが接着層と第2の絶縁性基板により交互に接合された多層積層体を形成する工程と、多層積層体の第1の絶縁性基板の反対面から積層面に垂直で、かつ一定間隔の溝を少なくとも第1の絶縁性基板の一部を連結部として残すように形成し、p型棒状素子とn型棒状素子を形成する工程と、これらの溝内に絶縁層を形成する工程と、p型棒状素子とn型棒状素子の端部を導電体で直列に配線する工程とを、有することを特徴とする熱電発電素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 35/34
, G04C 10/00
, G04G 1/00 310
, H01L 35/32
H01L 35/34
, G04C 10/00 C
, G04G 1/00 310 Y
, H01L 35/32 A
