特許

J-GLOBAL ID：200903051255917454

半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 新谷 忠之
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181055
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021910
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】BGA構造の半導体装置の形成に際して、金属ボールが接着されるリードフレームの金属メッキ層表面に形成されるバリを容易に除去できる製法とそれに用いる製造装置とを提供する。【解決手段】キャビティブロック101aのキャビティ104aに設けられた突起部105aに第2のゲート106aとダミーキャビティ107aとを設ける。このキャビティブロック101aを用いて樹脂封止するならば、上記金属メッキ層表面には除去の容易なダミーキャビティが形成される。

請求項（抜粋）：

BGA(ボール・グリッド・アレイ)構造の半導体装置の形成に用いるマルチプランジャ型の成形金型を構成するキャビティブロックであって、該キャビティブロックの上面にはプランジャに接続されたランナ,ゲートを介して該ランナに接続されたキャビティおよび該キャビティに接続されたエアベントが設けられ、さらに該キャビティには該半導体装置に形成される金属ボールに対応した位置に円錐台形状の突起部が設けられたキャビティブロックにおいて、前記突起部の上面には窪み形状のダミーキャビティがそれぞれに設けられ、それぞれの該突起部の側面の上端部の一部を削成して設けられた第2のゲートを介して該ダミーキャビティが前記キャビティに接続されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 A

Fターム (13件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F061DA08 ,  5F061DA13 ,  5F061DA15 ,  5F061EA02 ,  5F061EA13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-241344