特許

J-GLOBAL ID：200903051257467731

薄膜トランジスタの作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  高山 徹 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079006
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267989
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 量産性に優れた結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタ(TFT)および、そのようなTFTを安価に製造する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜に触媒元素をイオン注入等の手段で不純物領域に導入し、これをガラス基板の歪み温度以下の温度で結晶化させ、さらに、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極を形成し、自己整合的に不純物を注入した後、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールしてドーピング不純物の活性化をおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファスシリコン膜を形成する第1の工程と、前記アモルファスシリコン膜に1×1017cm-3またはそれ以上の濃度の触媒元素を導入する第2の工程と、前記アモルファスシリコン膜を熱アニールすることによって結晶化させる第3の工程と、前記シリコン膜上にゲイト電極を形成する第4の工程と、前記ゲイト電極をマスクとして、前記シリコン膜中にドーピング不純物を導入する第5の工程と、前記シリコン膜を熱アニールすることによって、導入された不純物の活性化をおこなう第6の工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-078172
  
• 特開昭63-056912
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-078172
  
• 特開平4-078172
  
• 特開昭63-056912
  
• 特開昭63-056912