特許

J-GLOBAL ID：200903051263591975

半導体集積回路素子

発明者： 青山 隆 ,  三沢 豊 ,  鈴樹 正恭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296801
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151743
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【構成】p-チャネルMOSにおけるコンタクト端部から接合までの距離を、n-チャネルMOSにおけるコンタクト端部から接合までの距離よりも小さくする。【効果】CMOSの集積度が向上し、動作速度が短縮した。

請求項（抜粋）：

nチャネルMOSとpチャネルMOSを含む半導体集積回路において、pチャネルMOSにおけるコンタクト端部から接合までの平面方向の最小距離を、nチャネルMOSにおけるコンタクト端部から接合までの平面方向の最小距離よりも小さくしたことを特徴とする半導体集積回路。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-192063
  
• 特開昭58-031567