特許
J-GLOBAL ID:200903051264539500

外観検査方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-104547
公開番号(公開出願番号):特開2002-303587
出願日: 2001年04月03日
公開日(公表日): 2002年10月18日
要約:
【要約】【課題】 従来の外観検査方法では、下層配線の有無により反射光や散乱光の強度のばらつき具合が異なるにもかかわらず同じ閾値で判定するため虚報が多発したりあるいは検出力が低下するという二律背反する問題があった。このため検査結果情報の信頼性は低下し、虚報多発の場合は外観検査後、顕微鏡を用いた人による虚報箇所の再チェックを実施し多大の時間と労力を要していた。【解決手段】 配線が多層に形成された半導体ウエハ2表面を光走査し、得られた配線パターン情報を基準パターン情報に基づいて決定した閾値と比較して最上層配線のパターンの欠陥を検出する外観検査方法において、基準パターン情報が、最上層配線より下層の配線の有無に対応していることを特徴とする外観検査方法。
請求項(抜粋):
配線が多層に形成された半導体ウエハ表面を光走査し、得られた配線パターン情報を基準パターン情報に基づいて決定した閾値と比較して最上層配線のパターンの欠陥を検出する外観検査方法において、前記基準パターン情報が、前記最上層配線より下層の配線の有無に対応していることを特徴とする外観検査方法。
IPC (3件):
G01N 21/956 ,  G01B 11/30 ,  H01L 21/66
FI (3件):
G01N 21/956 A ,  G01B 11/30 A ,  H01L 21/66 J
Fターム (34件):
2F065AA49 ,  2F065AA54 ,  2F065BB17 ,  2F065CC19 ,  2F065FF41 ,  2F065GG04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065MM12 ,  2F065RR06 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051BA01 ,  2G051BA10 ,  2G051BB05 ,  2G051BC05 ,  2G051CA20 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  4M106AA01 ,  4M106AA11 ,  4M106BA05 ,  4M106CA40 ,  4M106DB08 ,  4M106DB20 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21

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