特許
J-GLOBAL ID：200903051264806657
単結晶の引き上げ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256293
公開番号（公開出願番号）：特開平8-091991
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、結晶欠陥の発生を抑制できる、単結晶の引き上げ方法を提供する。【構成】 本発明は、昇降可能な下軸の上端に取り付けられた坩堝内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、坩堝の周囲に配設されたヒータにより原料及び封止剤を加熱して、原料融液層とその上に封止剤融液層とを形成し、昇降可能な上軸の下端に種結晶を取り付け、単結晶を原料融液から引き上げていく化合物半導体の単結晶の引き上げ方法に関する。本発明では、任意に定めた基準点と坩堝内のメルト面位置との最適距離関係を単結晶引き上げ長さに応じて予め設定し、単結晶引き上げ中、単結晶引き上げ長さが任意の長さになった時点で、メルト面の位置を検出し、検出したメルト面位置が基準点に対して最適距離関係を満足するように、上軸及び下軸の上昇速度を調整する。
請求項（抜粋）：
昇降可能な下軸の上端に取り付けられた坩堝内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、坩堝の周囲に配設されたヒータにより原料及び封止剤を加熱して、原料融液層とその上に封止剤融液層とを形成し、昇降可能な上軸の下端に種結晶を取り付け、単結晶を原料融液から引き上げていく化合物半導体の単結晶の引き上げ方法において、任意に定めた基準点と坩堝内のメルト面位置との最適距離関係を単結晶引き上げ長さに応じて予め設定し、単結晶引き上げ中、単結晶引き上げ長さが任意の長さになった時点で、メルト面の位置を検出し、検出したメルト面位置が基準点に対して最適距離関係を満足するように、上軸及び下軸の上昇速度を調整するようにしたことを特徴とする単結晶の引き上げ方法。
IPC (4件)：
C30B 27/02
, C30B 15/22
, C30B 29/42
, H01L 21/208
