特許

J-GLOBAL ID：200903051266449088

強誘電体素子の製造方法

発明者： 加藤 晃次
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343345
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】強誘電体を基質とする薄膜を用いた強誘電体素子の製造方法において、グレインが小さく、また、大きさの揃っていることによって、比誘電率が高く、微細加工に向いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】強誘電体薄膜形成の下地となる部位に、イオン注入を施して、下地をアモルファス化する。また、その後、熱処理を行なって、再び結晶化させる。また、前記熱処理は、瞬時アニールであり、前記下地電極は、結晶質の金属よりなる。

請求項（抜粋）：

強誘電体を基質とする薄膜を用いた強誘電体素子の製造方法において、前記強誘電体薄膜を形成する下地電極に、不活性ガスをイオン注入する工程と、前記電極上に強誘電体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする強誘電体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-011766
  
• 特開平2-083920
  
• 特開昭63-246866
  
• 特開昭63-124520