特許

J-GLOBAL ID：200903051267087180

半導体装置

発明者： 新井 高雄 ,  山口 和己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231716
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186261
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【課題】 回路を構成したときにさまざまな問題点を招来する寄生ダイオードによる不具合の発生が防止された半導体装置を実現すること。【解決手段】 第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられた半導体装置であって、前記第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース領域どうしが電気的に接続され、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは部分的にチャネルとなるバックゲート領域とソース領域が電気的に接続され、前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタはバックゲート領域が前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン領域と電気的に接続されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられた半導体装置であって、前記第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース領域どうしが電気的に接続され、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは部分的にチャネルとなるバックゲート領域とソース領域が電気的に接続され、前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタはバックゲート領域が前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン領域と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H02M 1/08 351 ,  H02M 3/28 ,  H03K 19/0944 ,  H02M 7/537

FI (4件)：

H01L 29/78 657 D ,  H01L 27/08 102 J ,  H01L 29/78 301 K ,  H03K 19/094 A