特許

J-GLOBAL ID：200903051268720064

半導体装置

発明者： 坂本 洋明
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214670
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037336
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 降伏電流耐量を従来よりもおよそ10倍以上大きくできる半導体装置を提供すること。【構成】 重金属拡散6等のライフタイム制御手段により主電流通路部L1以外の部分L2のライフタイムτ2を、該主電流通路部L1のライフタイムτ1よりも短くすることにより、ダイオード、サイリスタ等の順方向電圧降下特性等を損なうことなく降伏電流耐量の大きな半導体装置を簡単な手段で得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に少なくとも1つのPN接合を有し、主電流が該半導体基板の両主面間を流れ、一方の主面上に設けられた電極の面積は、他方の主面に設けられた電極の面積より小さい構造の半導体装置において、上記面積の小さい電極を半導体基板の他方の主面に投影した範囲より内側の主電流通路部のライフタイムをτ1とし、該範囲の外側の主電流通路部以外の部分のライフタイムをτ2としたときに、重金属拡散、電子照射等のライフタイム制御手段を用いて前記ライフタイムがτ1>τ2となるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/91 ,  H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭49-014108
  
• 特開昭52-013773
  
• 特開昭51-050580
  
• 特開平3-120724