特許

J-GLOBAL ID：200903051271855590

集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置

発明者： 梶田 直幸 ,  伊藤 弘基
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-237815
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102463
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】 銅配線層を用い、低抵抗でエレクトロマイグレーション(EM)耐性に優れ、良好なステップカバレッジ性、穴埋め性を有する高品質の集積回路を得ることを目的とする。【構成】 基板1上に複数の層から構成される下地層3を介して配線層2が形成された集積回路において、配線層2としては銅または銅合金を用い、下地層3は基板1から配線層2に向かって、チタンなどからなる密着層31(a)、TiN、TiWNなどからなるバリア層32(a)、配線層2の銅と合金を形成しやすい金属からなる配線下地層33(a)から構成される。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の層から構成される下地層を介して配線層が形成された集積回路において、前記配線層は銅または銅合金により構成され、前記下地層は、前記基板から配線層に向かって、密着層、バリア層および前記配線層の銅または銅合金と合金を形成しやすい金属からなる配線下地層から構成されることを特徴とする集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 D