半導体加速度センサおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154866
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318655
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】極めて小型で、かつ素子自体に増幅機能を有していてSN比が高い半導体加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体加速度センサ100は、マス部14aと、このマス部14aを支持するビーム部14b,14cとを含み、前記マス部14aの変位によって前記ビーム部14b,14cに発生する歪みによるピエゾ抵抗効果を利用する。少なくとも前記ビーム部14b,14cは、バイポーラトランジスタのベース領域14の一部によって構成され、ベース抵抗がピエゾ抵抗効果によって変化することを利用して、前記バイポーラトランジスタの出力を検出することによって加速度を測定する。

請求項（抜粋）：

マス部と、このマス部を支持するビーム部とを含み、前記マス部の変位によって前記ビーム部に発生する歪みによるピエゾ抵抗効果を利用する半導体加速度センサであって、少なくとも前記ビーム部は、バイポーラトランジスタのベース領域の一部によって構成され、ベース抵抗がピエゾ抵抗効果によって変化することを利用して、前記バイポーラトランジスタの出力を検出することによって加速度を測定することを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (4件)：

G01P 15/12 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 F , H01L 29/72

前のページに戻る