特許
J-GLOBAL ID：200903051278643777
薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-017251
公開番号（公開出願番号）：特開平10-212197
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 二種類以上の定量的組成分析が困難であったり、高真空度が必要であるという問題があった。【解決手段】 被着基板が設置された成膜室内に複数の原料ガスを導入し、この原料ガスを熱分解して前記被着基板上に薄膜を堆積させる薄膜の形成方法において、前記堆積途中の薄膜にレーザ光を照射してプラズマ発光させ、この光を分光して各構成元素毎の発光強度を検出し、この検出結果に基づいて前記複数の原料ガスの導入量を制御したり、前記原料ガスの排気系路若しくはこの排気系路から分岐した領域に放電電極を設け、この放電電極間で前記原料ガスをプラズマ発光させ、この光を分光して各構成元素毎の発光強度を検出し、この検出結果に基づいて前記複数の原料ガスの導入量を制御する。
請求項（抜粋）：
被着基板が設置された成膜室内に複数の原料ガスを導入し、この原料ガスを分解して前記被着基板上に薄膜を堆積させる薄膜の形成方法において、前記堆積途中の薄膜にレーザ光を照射してプラズマ発光させ、この光を分光して各構成元素毎の発光強度を検出し、この検出結果に基づいて前記原料ガスの導入量を制御することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C30B 25/16
, C23C 16/52
, G01N 21/63
, H01L 21/205
, C30B 29/40 502
C30B 25/16
, C23C 16/52
, G01N 21/63 A
, H01L 21/205
, C30B 29/40 502 E
