特許
J-GLOBAL ID：200903051279223330
磁気抵抗効果素子及び磁界検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-269122
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092906
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 発熱によるMR低下が少ないセンス電流で素子を動作させたとき、ダイナミックレンジが十分でかつノイズの少ない直線的なバイアス特性を再現性良く示す磁気抵抗効果素子を得ること。【解決手段】 バイアス印加用軟磁性体層14と、非磁性中間層13と、磁性バッファー層16と、導体層12a及び磁性体層12bが交互に積層されてなる人工格子磁気抵抗膜(GMR層)12とがこの順に積層されているGMR素子20。
請求項（抜粋）：
バイアス印加用軟磁性体層と、非磁性中間層と、導体層及び磁性体層が交互に積層されて成る人工格子磁気抵抗膜とがこの順に積層されている磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, C23C 14/34
, G11B 5/39
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, C23C 14/34 P
, G11B 5/39
, H01F 10/08
