特許

J-GLOBAL ID：200903051288398126

微小異物の検出および検査方法、それに用いられる走査型プローブ顕微鏡ならびにこれらを用いた半導体素子または液晶表示素子の製法

発明者： 中川 善嗣 ,  添田 房美 ,  藤野 直彦 ,  狩野 勇 ,  和田 理 ,  黒川 博志 ,  堀 浩一郎 ,  服部 信美 ,  関根 正廣 ,  大森 雅司 ,  倉本 一雄 ,  小林 淳二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121313
公開番号（公開出願番号）：特開平8-029354
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェハなどの試料平面上の微小異物の存在位置を短時間で効率よく検出し、選択的にその部分の3次元形状を測定することができる微小異物の検出方法、検査方法およびそのための走査型プローブ顕微鏡装置を提供する。【構成】 試料表面にビーム光8を照射し、そのスポット部に焦点を合わせた顕微鏡16やフォトダイオードなどで暗視野部または明視野部から観察することにより、乱反射のあった位置を検出し、その座標(x1、y1)をx-yアクチュエータ12に登録し、走査型プローブ顕微鏡の探針の位置(x0、y0)との差分だけ試料または探針を移動させ、微小異物11の3次元形状を測定する。また、パーティクル検出装置で予め微小異物の位置を求めておき、走査型プローブ顕微鏡との座標のずれを考慮した範囲に前記ビーム光のスポット照射を行うものとして、検出、検査効率を高める。

請求項（抜粋）：

試料表面に微小異物検出用のビーム光を照射し、該微小異物による前記ビーム光の変化を観察することにより前記試料の微小異物のx-y面内の存在位置を検出することを特徴とする微小異物の検出方法。

IPC (4件)：

G01N 21/88 ,  G01B 11/30 ,  G01N 37/00 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-093304
  
• 特開平4-058102
  
• 特開平2-186248
  
• 特開昭57-067844