グレ-ズドセラミック基板及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232176
公開番号（公開出願番号）：特開平8-073285
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：

【要約】【目的】各種のキャパシタ、レジスタ、インダクタ等の薄膜機能回路を形成する表面平滑な基板として好適に利用されるために、低温での焼き付けが可能で、かつ良好な表面平滑性を有し、さらに表面抵抗値の制御が可能で、帯電の防止が可能なグレ-ズドセラミック基板を提供すること。【構成】ガラスマトリックスに平均粒子径0.3〜5.0μmの遷移金属酸化物相が、ガラスマトリックスと遷移金属酸化物相との重量比で97:3〜60:40の範囲で分散してなるグレ-ズ層を有することを特徴とするグレ-ズドセラミック基板。

請求項（抜粋）：