特許
J-GLOBAL ID：200903051295818904

希土類磁石粉末及び希土類磁石

発明者：
小室 又洋

小室 又洋 について

, 
佐通 祐一

佐通 祐一 について

, 
谷川 茂穂

谷川 茂穂 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049919
公開番号（公開出願番号）：特開2006-233277
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 NdFeB粉とNdF3 などのフッ素化合物を混合して成形した磁石は、フッ素化合物の混合量とともに残留磁束密度が低下し、エネルギー積が著しく低下する。このような磁気特性の低下を抑えることが課題である。【解決手段】 上記課題を解決するために、フッ素化合物を磁粉表面に塗布し形成するとともに、フッ素化合物と磁粉の界面に拡散層を形成し、フッ素化合物内にフッ素濃度差をつけている。さらに、磁粉をNdFeB粉を主相としたものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
R-Fe-B(Rは希土類元素)系磁粉を含有し、前記R-Fe-B系粉末の主相であるNd2Fe14B の粒界あるいは表面の一部に層状の1種類以上のフッ素化合物が形成され、少なくとも1種の前記フッ素化合物内にはフッ素濃度に1at%以上の濃度差が生じていることを特徴とする希土類磁石粉末。
IPC (4件)：
B22F 1/00 ,  B22F 1/02 ,  H01F 1/09 ,  H01F 1/053
FI (4件)：
B22F1/00 Y ,  B22F1/02 E ,  H01F1/09 A ,  H01F1/04 H
Fターム (9件)：
4K018BA18 ,  4K018BC20 ,  4K018BC28 ,  4K018BD01 ,  5E040AA04 ,  5E040CA01 ,  5E040HB05 ,  5E040HB14 ,  5E040NN01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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