特許

J-GLOBAL ID：200903051298398752

強誘電体薄膜形成用電極

発明者： 明渡 邦夫 ,  坂田 二郎 ,  多賀 康訓
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270010
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139307
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 残留分極値が比較的大きいペロブスカイト型鉛系酸化物強誘電体の(111)配向膜を表面に形成できる、高集積化を可能とする電極を提供する。【構成】 シリコン基板12上にSiO2 層14を形成し、この上に、バッファ層としてのTi層16を介して、下部電極18が形成されている。下部電極18としては、Pt、Au、Pd、Ag、Rhから選ばれる少なくとも1種以上の貴金属と、その貴金属以外で単体で面心立方体の結晶構造をとる少なくとも1種以上の金属との(111)優先配向している合金薄膜が用いられる。この合金薄膜の表面には、PbOとの混在層20が形成されている。この下部電極18及び混在層20によって形成される電極の上に、PLT強誘電体薄膜22を形成すると、この強電体薄膜22が(111)優先配向をする。

請求項（抜粋）：

Pt,Au,Pd,Ag,Rhから選ばれる少なくとも1種以上の貴金属と、前記貴金属以外で単体で面心立方体の結晶構造をとる少なくとも1種以上の金属と、の(111)優先配向している合金薄膜であり、且つ表面にPbOとの混在層を有することを特徴とする、(111)優先配向ペロブスカイト型鉛系酸化物強誘電体ゾル・ゲル薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用電極。

IPC (6件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 29/46 R ,  H01L 29/78 371