特許

J-GLOBAL ID：200903051300761193

半導体層の積層方法及び該積層装置

発明者： 岡本 圭史 ,  吉見 雅士
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334532
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156000
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 特にハイブリッド太陽電池の半導体層の製造において、製膜室内壁に付着したシリコンパーティクルが基板上に落下する障害を取り除き、且つ、安定した製膜を可能にした上で、製膜装置全体に掛かる製造時間の短縮及びメンテナンスサイクルの長期化を兼ね備えた半導体層の積層方法及び積層装置を提供することにある。【解決手段】 製膜室で基板上に所定構造の半導体層を積層する工程を有する半導体層の積層方法において、該基板が水平に対して鋭角で角度が付けられている状態で該基板を移動させる工程と、該鋭角で角度が付けられている基板上に半導体層を積層する工程とを含む半導体層の積層方法を構成した。なお、前記移動装置は前記水平に対して角度を付けられたベルトコンベア、ロール又は/及びコロで構成された装置であって、該移動装置によって基板に角度が付けられる。

請求項（抜粋）：

製膜室で基板上に所定構造の半導体層を積層する工程を有する半導体層の積層方法において、該基板が水平に対して鋭角で角度が付けられている状態で該基板のみを移動させる工程と、該基板が該鋭角で角度が付けられている状態で該基板上に半導体層を積層する工程とを含むことを特徴とする半導体層の積層方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 F ,  H01L 31/04 T

Fターム (34件)：

4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030GA03 ,  4K030GA04 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA04 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP07 ,  5F045DP21 ,  5F045DP23 ,  5F045DQ15 ,  5F045EM02 ,  5F045EN04 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA02 ,  5F051DA04