特許

J-GLOBAL ID：200903051304270186

逆メサ構造を有するRWGレーザー・ダイオード及びその製造方法

発明者： 金 昴序 ,  金 敦洙 ,  李 相龍 ,  申 英根
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273828
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129972
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【目的】 逆メサRWGの逆メサ両側で接触金属が切断されることを防止するため、逆メサ構造の下部の隅部だけにポリイミドが残るようにすることにより接触金属の切断を防止する逆メサ構造を有するレーザー・ダイオード及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明は逆メサ構造を有するRWG(ridge wavegide)レーザー・ダイオード及びその製造方法に関し、垂直メサ両側で接触金属が切断されることを防止するため逆メサ構造の下部の隅部だけにポリイミドが残るよう逆メサ構造の側壁にポリイミドスペーサを形成して熱的に強く、コンタクト層に接続される接触金属の付着力を向上させるものである。

請求項（抜粋）：

InP基板上部にバッファ層、アクティブ層、クラッド層及びコンタクト層を順に形成する工程と、前記コンタクト層の上部にエッチングマスクを形成した後、前記コンタクト層から前記クラッド層の一定深さまで湿式エッチングを行って逆メサを形成する工程と、前記エッチングマスクを除去し、ウェーハ全体にシリコン酸化膜を形成し、その上部にポリイミド層を形成する工程と、前記ポリイミド層を全体的に一定厚さエッチングして前記逆メサ上部のシリコン酸化膜を露出させ、露出したシリコン酸化膜をエッチングして下部のコンタクト層を露出させる工程と、前記ポリイミドを異方性エッチングして逆メサ構造の側壁にポリイミドスペーサを形成する工程と、全体的に接触金属を蒸着し、前記コンタクト層に接触する工程と、を含む逆メサ構造を有するRWGレーザー・ダイオードの製造方法。