半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096105
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260373
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】たとえ膜圧が薄くとも、耐リーク性が高く、良好な特性のシリコン窒化膜を形成する。【解決手段】一定量のNH3 (a)を連続的に供給しながら、SiH2 Cl2 又はSiH4 (b)を間欠的に供給する初期成長過程と、一定量のNH3 (a)を連続的に供給しながら、一定量のSiH2 Cl2 又はSiH4 (b)を連続的に供給する通常成膜過程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリコン窒化膜を形成するに当たり、前記半導体基板を収容した成膜装置内に、一定量のアンモニアガスを連続的に供給しながら、珪素を構成成分として含む硅素含有ガスを間欠的に供給する第1の工程と、前記第1の工程後、前記成膜装置内に、前記一定量のアンモニアガスを連続的に供給しながら、一定量の前記珪素含有ガスを連続的に供給する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/318 B , H01L 27/04 C

前のページに戻る