特許

J-GLOBAL ID：200903051315829436

ICのリアクタンス形成方法

発明者： 遠澤 公一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252087
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 集積度が高く、かつ大きなリアクタンス値を有するICを実現できるリアクタンス形成方法を提供する。【解決手段】 本リアクタンス形成方法は、平面型コイルと同じパターンを有する下地導電膜14をIC基板12上に形成し、次いで、下地導電膜上に第1のフォトレジスト膜16を成膜する。続いて、第1のフォトレジスト膜にプラズマアッシングを施して第1のフォトレジスト膜の表層を変質させ、第1のフォトレジスト膜の変質膜18上に第2のフォトレジスト膜20を成膜する。更に、第1及び第2のフォトレジスト膜をパターニングして、平面型コイルの所定平面パターンと同じパターンで開口してフォトレジスト膜を貫通して導電膜に達し、かつパターンの長手方向中心線に直交する面でT字状の開口断面を有する溝状の開口22を形成し、開口内の下地導電膜上に金属24をメッキして平面型コイルを形成する。

請求項（抜粋）：

IC基板上に形成した平面型コイル素子によりIC中にリアクタンスを形成する際に、平面型コイルの所定平面パターンと同じパターンを有する下地導電膜を半導体基板上に形成する工程と、下地導電膜上に第1のフォトレジスト膜を成膜する工程と、第1のフォトレジスト膜にプラズマアッシングを施して第1のフォトレジスト膜の表層を変質させる工程と、第1のフォトレジスト膜の変質膜上に第2のフォトレジスト膜を成膜する工程と平面型コイルの所定平面パターンと同じパターンで第1及び第2のフォトレジスト膜をパターニングし、フォトレジスト膜を貫通して導電膜に達し、かつパターンの長手方向中心線に直交する面で略T字状の開口断面を有する溝状の開口を形成する工程と、開口内の下地導電膜上に金属をメッキする工程とを備えることを特徴とするICのリアクタンス形成方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 1/00

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01P 1/00 Z