特許
J-GLOBAL ID：200903051320364239
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-111084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-306465
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 基板の加熱性能に優れ、保守管理に手間がかからず、処理品質も良好なプラズマCVD装置を提供する。【構成】 処理室10内に、連結開口12で連通する薄膜形成部20と搬送加熱部30とを備え、薄膜形成部20には、連結開口12に向けて薄膜の堆積を行う電極部材21やガス噴出プレート22などからなる薄膜形成手段を備え、搬送加熱部30には、基板60を保持した搬送プレート40などの基板保持部材を処理室10に出し入れするローラコンベア50などの搬送手段と、基板保持部材40に保持された基板60の背面に当接し、基板60を基板保持部材40から連結開口12を塞ぐ位置へと移送するとともに、基板60に熱を伝える伝熱移送板70を備えている。
請求項（抜粋）：
処理室内に、連結開口で連通する薄膜形成部と搬送加熱部とを備え、薄膜形成部には、連結開口に向けて薄膜の堆積を行う薄膜形成手段を備え、搬送加熱部には、基板を保持した基板保持部材を処理室に出し入れする搬送手段と、基板保持部材に保持された基板の背面に当接し、基板を基板保持部材から連結開口を塞ぐ位置へと移送するとともに、基板に熱を伝える伝熱移送板を備えているプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/46
, H01L 21/31
