特許

J-GLOBAL ID：200903051324036627

受光増幅装置

発明者： 岡林 直憲 ,  花房 孝一 ,  大西 雅也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-154023
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 バイポーラ集積回路で1チップに構成し、且つ、広範囲な入射光量に対して良好なS/N比を得る。【構成】 ゲイン切替回路12は、増幅回路11の入出力間に接続され、直列接続された抵抗Rf2,バーチカルPNP型トランジスタQ4と抵抗Rf1とを並列に接続して概略構成される。選択回路13はNPN型トランジスタQ5・Q6・Q7,および定電流電源I3で概略構成され、入力端子にレベル“L"の選択信号Mが入力されるとPNP型トランジスタQ4を“オン"させて、アノードコモンのホトダイオードPDからの光電流が大きい場合に増幅器AMPのゲインを小ゲイン側に切り替える。このように、ゲイン切り替え用のPNP型トランジスタQ4をバーチカルタイプにすることによってバイポーラ集積回路で1チップに構成でき、且つ、ゲインを切り替えて広範囲な入射光量に対して良好なS/N比を得る。

請求項（抜粋）：

アノードコモンの複数のホトダイオードの各々へ流れる受光電流を電流電圧変換して増幅する増幅回路、および、この増幅回路の入出力間に接続されると共に、内蔵するスイッチング素子の選択信号に基づくオン/オフによって上記増幅回路のゲインを切り替えるゲイン切替回路を有する受光増幅装置であって、上記スイッチング素子は、バーチカルPNP型トランジスタであることを特徴とする受光増幅装置。