特許
J-GLOBAL ID:200903051331912637

半導体ウェーハ、半導体装置の製造方法及びICカード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-079194
公開番号(公開出願番号):特開平10-256324
出願日: 1997年03月14日
公開日(公表日): 1998年09月25日
要約:
【要約】【課題】 製品テストのテスト条件が解読されずセキュリティの高い半導体装置が形成される半導体ウェーハ及び半導体装置の製造方法及びこの半導体装置を利用したICカードを提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ1はスクライブライン3上に形成されたテスト用パッド5を介してROMの内部回路のテストが行われる。テスト用パッド5は前記スクライブライン3に沿って切断されるときに破壊される。半導体ウェーハ1を切断・分離後テスト用パッド5は破壊されてしまうので、ROMテストは、半導体ウエーハのスクラブライン3にしたがって切断されてから後は出来ない。したがって、高度の機密性を保つことができる。
請求項(抜粋):
表面領域に形成されたROMを有する製品領域と、表面に形成されたスクライブラインと、前記スクライブライン上に形成されたテストパッドとを備え、前記テストパッドを介して前記ROMの内部回路のテストが行われることを特徴とする半導体ウェーハ。
IPC (3件):
H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/02
FI (3件):
H01L 21/66 E ,  H01L 21/02 Z ,  G01R 31/28 V
引用特許:
審査官引用 (4件)
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