特許
J-GLOBAL ID：200903051335615432
磁電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243636
出願日： 1984年04月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 高感度かつ信頼性が高いものを得る。【構成】 フェライト基板12上に、エポキシ樹脂層13aにより、A2 O3 膜13bを介してIII -V族化合物半導体膜14が接着され、半導体膜14上の一部に厚さ4μm のCu メッキのコンタクト層16が形成され、その上に厚さ2μm のNi メッキの中間層17が形成され、その上に厚さ2μm のAu メッキのボンディング層18が形成され、そのボンディング層18上にAu 細線が超音波印加を併用して圧着されている。
請求項（抜粋）：
基板と、その基板上に形成された樹脂層と、その樹脂層上に形成された酸化物絶縁膜と、その酸化物絶縁膜上に形成された厚さ0.1〜10μm ,電子移動度2,000〜80,000 cm2 /Vsec のIII -V族化合物半導体膜と、その半導体膜上の一部に形成された厚さがほぼ2μm 以上の金属の中間層と、その中間層上に形成され、その中間層よりヤング率が50%以上小さい金属のボンディング層と、そのボンディング層上に一端が直接接続された金属細線と、を具備する磁電変換素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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