特許
J-GLOBAL ID：200903051341326027
透明導電膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
臼村 文男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195891
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009724
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：
【要約】【構成】 ターゲット29の裏面の磁石装置31を失印T方向に往復移動させながら、直流電源41からの直流電力と、高周波電源43からの高周波電力とを重畳してスパッタ電極21に供給し、ITOからなるターゲット29をスパッタし、基板27上にITO薄膜を形成する。【効果】 低抵抗のITO薄膜が得られる。
請求項（抜粋）：
マグネトロンスパッタ法によりインジウム系酸化物をスパッタするに際し、ターゲットに直流電力と高周波電力とを重畳せしめて供給するとともに、ターゲット上に形成される磁界の位置を変化させて、インジウム系酸化物からなるターゲットをスパッタすることを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
