特許
J-GLOBAL ID：200903051344440599
被膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-004896
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【構成】 磁気ディスクや磁気ヘッド等の磁気記録層上に、水素化アモルファス炭素膜やダイヤモンド状炭素膜などの膜を形成し、その膜の光学吸収端よりもエネルギーの高い光をその膜に照射する工程を有する被膜の製造方法。【効果】 光照射によって膜の内部応力が緩和するので、基体等に悪影響を与えることなく密着性を向上させることができ、膜剥離や磁気記録の腐食を良好に防止できる被膜が容易に得られる。
請求項（抜粋）：
基体上に炭素と水素を主成分とする膜を形成し、該膜の光学吸収端よりもエネルギーの高い光を該膜に照射する工程を有する被膜の製造方法。
IPC (8件)：
C30B 28/02
, C30B 25/02
, C30B 25/16
, C30B 29/04
, C30B 33/04
, G11B 5/187
, G11B 5/72
, G11B 11/10
