特許
J-GLOBAL ID：200903051346010907
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150577
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343811
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高抵抗半導体層からなる埋込型の電流ブロック層を備えた半導体発光素子において、リーク電流を低減し、発光効率および変調特性を向上させる。【構成】 半導体基板1上にp型クラッド層4およびn型クラッド層2並びにこれらのクラッド層に挾まれた活性層3を有し、この活性層を含む発光領域が断面メサ形状に形成され、この発光領域の外側に電流ブロック層10となる高抵抗半導体が埋め込まれている半導体発光素子において、上記電流ブロック層10を、少なくとも上記発光領域の側面を被覆する低濃度のp型半導体層11と、この低濃度p型半導体層の外側を被覆するように形成された深いドナー準位を有する高抵抗半導体層12もしくは深いアクセプタ準位を有する高抵抗半導体層13とにより構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にp型クラッド層およびn型クラッド層並びにこれらのクラッド層に挾まれた活性層を有し、この活性層を含む発光領域が断面メサ形状に形成され、この発光領域の外側に電流ブロック層となる高抵抗半導体が埋め込まれている半導体発光素子において、上記電流ブロック層は、少なくとも上記発光領域の側面を被覆する低濃度のp型半導体層と、この低濃度p型半導体層の外側を被覆するように形成された深いドナー準位を有する高抵抗半導体層もしくは深いアクセプタ準位を有する高抵抗半導体層とからなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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