特許
J-GLOBAL ID：200903051350395520

パワー半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
山本 哲也

山本 哲也 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021939
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231820
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 オン抵抗が低くノーマリーオフ動作することができるパワー半導体装置を提供すること。【解決手段】 ノーマリーオン型でSiCからなるJFET20上にノーマリーオフ型でSiからなるMOSFET40を形成し、パワー半導体装置100全体でノーマリーオフ動作しJFET20部分が耐圧のほとんどを確保できるようにJFET20とMOSFET40とを電気的に接続した。こうすると、SiCからなるJFET20で高耐圧化が可能となるので、Siのみからなる同耐圧のパワー半導体装置と比較して全体としてオン抵抗を低くすることができると共に全体としてノーマリーオフ動作するので回路システム全体としての低消費電力化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
外部からの制御電圧に応じてオンオフするノーマリーオフ型の第1のゲート型半導体素子によりノーマリーオン型の第2のゲート型半導体素子のオンオフを制御してスイッチング動作を行なうパワー半導体装置であって、前記第2のゲート型半導体素子は、炭化珪素の半導体基板に形成され炭化珪素からなり、前記第1のゲート型半導体素子は、前記半導体基板に形成され炭化珪素と異なる材料からなることを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 656 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/861
FI (11件)：
H01L 27/00 301 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 656 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 L
Fターム (28件)：
5F048AA05 ,  5F048AB04 ,  5F048AC00 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA03 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048CB01 ,  5F102FA01 ,  5F102GA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR01 ,  5F110AA11 ,  5F110BB11 ,  5F110BB12 ,  5F110DD01 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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