特許
J-GLOBAL ID:200903051355995142
絶縁膜評価方法、絶縁膜評価装置及び絶縁膜評価システム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-374920
公開番号(公開出願番号):特開2001-189361
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 短期間で絶縁膜の全面の信頼性の評価が行える絶縁膜評価方法、絶縁膜評価装置及び絶縁膜評価システムを提供する。【解決手段】 基体上に形成された絶縁膜に電圧を印加する複数の電圧源と、前記複数の電圧源の各々に接続され、該電圧源により印加された電圧を前記絶縁膜に伝達する複数の電圧伝達部材と、前記複数の電圧源により印加した前記電圧により前記絶縁膜にリーク電流が流れるかどうかを検出する検出手段と、前記リーク電流が流れる位置を特定するために、前記複数の電圧伝達部材の各々と該リーク電流が流れる位置との距離を算出する算出手段とを備えて、前記絶縁膜の信頼性を評価する。
請求項(抜粋):
基体上に形成された絶縁膜に電圧を印加し、印加した前記電圧により前記絶縁膜にリーク電流が流れるかどうかを検出する絶縁膜評価方法において、前記絶縁膜上に形成された電極の複数の位置を介して、該絶縁膜に前記電圧を印加することを特徴とする絶縁膜評価方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/66 Q
, G01R 31/12 Z
Fターム (10件):
2G015AA29
, 4M106AA07
, 4M106AA12
, 4M106AB02
, 4M106BA14
, 4M106CA01
, 4M106CA04
, 4M106DH04
, 4M106DH11
, 4M106DH16
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