特許
J-GLOBAL ID：200903051357388448
磁性薄膜メモリおよびその記録方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084347
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 メモリ素子のサイズが小さくなっても、充分に大きな読出し信号がえられる磁性薄膜メモリおよびその記録方法を提供する。【構成】 薄膜磁性体の磁化の向きによって情報が記録される磁性薄膜メモリ素子1を複数個有する磁性薄膜メモリであって、前記磁性薄膜メモリ素子が少なくとも保磁力の大きな磁性層aと保磁力の小さな磁性層bとを非磁性層cを介してa/c/b/cの周期をくり返して積層してなる人工格子膜およびスイッチング素子2により構成されている磁性薄膜メモリおよび前記磁性薄膜メモリを用いて磁化の向きにより情報を記録する磁性薄膜メモリの記録方法。
請求項（抜粋）：
薄膜磁性体の磁化の向きによって情報が記録される磁性薄膜メモリ素子を複数個有する磁性薄膜メモリであって、前記磁性薄膜メモリ素子が少なくとも薄膜磁性体とスイッチング素子とで構成されていることを特徴とする磁性薄膜メモリ。
引用特許：
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