特許
J-GLOBAL ID：200903051360995746
パワー半導体モジュール及びそれを用いたインバータ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012902
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221264
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】内部端子の半田付部にかかる応力が低減され、ゲ-トへの雑音電圧の誘起が少なく、隣接するパワ-半導体モジュ-ル間の配線インピ-ダンスが低減されたパワー半導体モジュ-ル及びそれを用いたインバータ装置を提供する。【構成】IGBTチップ1のコレクタ内部端子7と、エミッタ内部端子12を、絶縁容器6の側板部分6A、6Bの内面に平行に、かつ充分に接近した状態で立ち上がらせたもので、ゲート内部端子18は、これらのコレクタ内部端子7と、エミッタ内部端子12から離して、絶縁容器6のほぼ中央部に設けた。
請求項（抜粋）：
支持基板と、この支持基板の一方の面に絶縁板を介して積層接合された電極板と、この電極板に接合された半導体チップと、上記支持基板を底板として密封容器を形成する箱型の絶縁容器と、この絶縁容器の表面に配置された外部端子と、この外部端子を上記電極板に接続するための内部端子とを備えたパワー半導体モジュールにおいて、上記内部端子を板状の導電材で作成し、且つ、この内部端子が上記電極板から上記外部端子に至る立上り部分を、上記絶縁容器の相対向する側板部分の内面に対して、その立上り部分の幅よりも充分に小さい間隔で平行に配置したことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
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