高いスループットのCVD装置及び方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島高城郎 , 河合典子 , 佐藤卓也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-524318
公開番号（公開出願番号）：特表2008-509547
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】従来のCVD装置又は方法を基板のより高いスループットの観点で改良すること。【解決手段】反応チャンバー内に配置され、少なくとも基板を載せる可動のサセプタを有するプロセス室を備え、膜を構成する成分を基板上に堆積するため、プロセス室内に、膜を構成する成分を含有すると共に順次行われるプロセス工程において導入可能な相互に異なるプロセスガス、を導入するための複数のガス導入管が開口するCVD装置に関する。スループットを高くするために、そこで相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、プロセス室が、内部に個々のガス混合比を実現する相互に異なるガス導入管(34、34’)が開口すると共にサセプタ(20)の移動を介して基板(9)がそれに順次供給可能となっている複数の相互に分離された堆積室(11、11’)、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

反応チャンバー(2)と、その中に配置され、回転軸の周りで回転可能で1つ以上の基板ホルダー(13)が出て行くディスク状のサセプタ(20)、及び、前記回転軸の周りに配置され、間隙(21)が形成されていることによって、その開口部が同一面に配置されサセプタ(20)と対向する、相互に分離された複数の堆積室(11、11’)を有するプロセス室とを備え、前記各堆積室(11、11’)が、膜形成成分を含有し相互に異なるプロセスガスを導入及び排気するための、ガス混合システム及びガス供給システムに接続されたガス導入管(34、34’)及びガス排気管(35、35’)を有し、そこで、時間的に順次行われる工程が相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、前記サセプタ(20)の前記基板ホルダ(13)上に載せられた基板(9)が前記サセプタ(20)の回転によって順次異なる堆積室(11、11’)に搬送可能である、少なくとも、特に薄膜を少なくとも前記基板(9)上に堆積する装置において、円形底面のカップ状の形状を有しプロセスチャンバー(1)の窪みからなる前記堆積室(11、11’)に、前駆体を気相にして前記ガス導入管(34)を通して導入するため、前記ガス混合システムが、液体の又は液体に溶解した前駆体を加熱された空間に吐出する無接触の蒸発システムである、ことを特徴とする高いスループットのCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31 B

Fターム (22件)：

4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA05 , 4K030GA12 , 4K030HA01 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045DP27 , 5F045DQ14 , 5F045EC09 , 5F045EE07 , 5F045EE14 , 5F045EE17 , 5F045EK07 , 5F045EK11 , 5F045EM10 , 5F045EN04 , 5F045HA24

引用特許：

出願人引用 (2件)

独国公開第4414683A1号公報
独国公開第10242257A1号公報

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