特許

J-GLOBAL ID：200903051365100178

半導体記憶装置

発明者： 松本 美紀 ,  大石 貫時 ,  片山 雅弘 ,  渡邉 一史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194893
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045269
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 多様なデータ処理を高速にできるようにした半導体記憶装置を提供する。【構成】 内蔵された演算回路によりデータの論理演算又はアドレス信号の算術演算を行い、かかる演算結果に対応したデータを同じメモリサイクル中にメモリアレイに書き込むようにすることの他に、外部端子から出力させるような機能を付加する。【効果】 1つのメモリサイクル中において演算結果に対応したデータの入力又は出力が可能になるので、多様なデータ処理を高速に行うようにすることができる。

請求項（抜粋）：

ワード線とビット線との交点に情報記憶用キャパシタとアドレス選択用MOSFETからなるメモリセルがマトリックス配置されてなるメモリアレイと、かかるメモリアレイをランダムにアクセスして第1の外部端子との間でデータの入出力を行うアドレス選択回路及びデータ入出力回路とからなるランダム入出力回路と、上記ランダム入出力回路に組み込まれてなり、入力データとメモリアレイから読み出されたデータとの論理演算を行う演算回路と、同じメモリサイクルにおいてかかる演算結果をメモリアレイに書き込み、又は上記第1の外部端子から出力させる信号経路とを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。