磁性薄膜形成法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064775
公開番号（公開出願番号）：特開平7-272967
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】スパッタリング法で磁性薄膜を形成する方法において、プラズマからのイオンダメージを防止し、膜厚変動の少ない安定した成膜方法を提供する。【構成】アース電位となる基板電極12と基板14とを絶縁ホルダー24あるいは絶縁ピース25で絶縁して、基板面の電位をプラズマ電位と等しくなるようにし、プラズマからのイオンダメージを防止し、低Arガス圧力下あるいは永久磁石による磁界印加時の膜厚ばらつきを押える。【効果】プラズマからのイオンダメージによる膜厚変動が抑制され、膜厚精度の良好な成膜が可能となる。

請求項（抜粋）：

磁性薄膜を高周波マグネトロンスパッタリング法で形成する形成方法において、薄膜を形成する基板をプラズマ電位と異なる電位を有する基板電極から絶縁して保持することを特徴とする磁性薄膜の形成法。

IPC (5件)：

H01F 41/18 , C23C 14/14 , C23C 14/34 , C23C 14/35 , G11B 5/31

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭64-084407
特開昭61-227170
特開平2-081409

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