特許
J-GLOBAL ID：200903051368169713
絶縁ゲート半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242950
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097447
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的はMOSFETのゲート電極の抵抗を極力して高周波特性を改善し、かつしきい電圧特性や安全動作領域を改善することにある。【構成】MOSFETのゲート電極9の膜厚をゲート長さより大きくすることにより、ゲート電極が低抵抗化され、高周波特性が改善される。またチャネルの直下には、ポケット上のP型領域7を形成することにより、しきい電圧の低下を防止することができる。【効果】MOSFETの高周波特性、特に電力用増幅器として使用した場合、2GHz以上の動作周波数で効率が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体領域上に第1導電型の第2半導体領域を設け、半導体主面から前記第1半導体領域に達するように形成した第1導電型の第3半導体領域を設け、第2導電型の第4半導体領域をMOSFETのソースとし、前記第2半導体領域内に形成した第2導電型の低不純物濃度の第5半導体領域並びに第2導電型の高不純物濃度の第6半導体領域をMOSFETのドレインとし、上記ソース、ドレイン間に絶縁膜を介して、ゲート電極を有するMOSFETにおいて、そのゲート電極の膜厚がゲート長さより大きいことを特徴とする絶縁ゲート半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 G
, H01L 29/78 301 G
