特許

J-GLOBAL ID：200903051372403887

半導体装置の製造方法及びレチクル及び半導体ウェハ

発明者： 古賀 和雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158159
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】露光1ショット分のパターンの集積回路チップ占有率に影響を及ぼさずに必要十分なアライメントマークを設けることのできる半導体装置の製造方法及びレチクル及び半導体ウェハを提供する。【解決手段】半導体ウェハWF上に複数の集積回路チップ領域12がスクライブライン領域13を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスの初期段階を示している。例えば、始めにウェル領域を形成した場合、次の露光工程における位置合わせのためアライメントマーク14を付加するが、このアライメントマーク14を集積回路チップ領域12内に設けるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに複数の集積回路チップ領域がスクライブライン領域を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスを含む半導体装置の製造方法において、前記集積回路チップ領域内にアライメントマークを含む領域が設けられる第1のパターン露光工程と、前記アライメントマークに基いて次の露光領域が定められる第2のパターン露光工程と、を具備することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/22 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/301

FI (5件)：

G03F 1/08 N ,  G03F 7/22 H ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 523 ,  H01L 21/78 C

Fターム (6件)：

2H095BB02 ,  2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  5F046AA26 ,  5F046DB05 ,  5F046EB07