特許

J-GLOBAL ID：200903051378798859

SOI基板の製造方法

発明者： 小▲ぐら▼ 厚志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017480
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191140
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 結晶欠陥が少ない、即ち結晶性に優れたSOI基板(SIMOX基板を含む)の製造方法を提供すること。【構成】 SIMOX法によるSOI基板(又はSIMOX基板)の製造に際し、予めSi基板の内部の所望位置に結晶欠陥を導入し、その後通常のSIMOX基板の製造工程である酸素イオン注入及び高温熱処理を施す。1例を挙げると、Si基板10にSi原子をイオン注入して(但しダメ-ジ回復のため低温熱処理を施す)、Si基板10の内部の所望位置に結晶欠陥11を導入する。その後低ド-ズ(2×1017/cm2)の酸素イオンを注入し、続いて高温熱処理する。【効果】 予め結晶欠陥11を導入することで、従来技術では困難であった低ド-ズの酸素イオン注入によるSOI構造の形成が可能となり、結晶欠陥の減少とプロセスコストの低下という効果が得られる。

請求項（抜粋）：

(1) Si基板内部の所望位置に結晶欠陥を導入する工程と、(2) 該Si基板に酸素原子をイオン注入する工程と、(3) 熱処理を施す工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-293637
  
• 特開昭63-217657
  
• 特開平2-237033
  
• 特開平3-235348