特許
J-GLOBAL ID：200903051387981461
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257070
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083017
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 高温でのエピタキシャル成長が可能なエピタキシャルウェハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 AsまたはPを含む化合物半導体基板1と、基板1の表面1aおよび裏面1bを被覆するように形成された、GaN、InNまたはAlN、もしくはAlとGaとInとNとからなる窒化物混晶材料からなる被覆層2とを備える。
請求項（抜粋）：
AsおよびPからなる群から選ばれる少なくとも1つの揮発性成分を含む化合物半導体基板と、前記基板の少なくとも表裏両面を被覆するように形成された、(1)GaN、(2)InN、(3)AlN、および(4)AlとGaとInとNとからなる窒化物混晶材料からなる群から選ばれる材料からなる被覆層とを備えることを特徴とする、エピタキシャルウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, C30B 29/40 D
