特許

J-GLOBAL ID：200903051387981836

光半導体素子およびその製造方法

発明者： 北村 光弘 ,  佐々木 達也 ,  阪田 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337967
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260727
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 バンドギャップエネルギー(Eg )の異なるMQW構造を有する光導波領域を導波路方向で集積した半導体光集積回路をMOVPE選択成長を用いて形成する場合に、半導体のエッチングを用いないというMOVPE選択成長の特徴を活かしたままで、Eg 差の拡大を実現する。【構成】 MQW層5は、Eg の小さな領域では絶縁膜ストライプマスクを用いて選択的に形成し、Eg の大きな領域では全面に形成する。クラッド層7は、両方の領域に形成したストライプマスクを用いて、Eg の小さな領域ではMQW構造を覆うように、またEg の小さな領域ではリッジ導波路構造となるようにそれぞれ選択的に形成する。【効果】 半導体のエッチングを用いることなくEg 差を拡大でき、素子特性を改善できる。また曲線光導波路との集積も可能となる。

請求項（抜粋）：

第1光導波層が全面に形成された半導体基板上において、ある領域では、少なくとも量子井戸層からなる第2光導波層がストライプ状に形成され、一方途切れることなく別の領域では全面に形成されており、さらに半導体クラッド層がストライプ状に形成された前記第2光導波層を覆うように、また全面に形成された前記第2光導波層の上ではストライプ状の凸部となるようにそれぞれ形成されたことを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-100291
  
• 特開平4-100291
  
• 特開平2-119285