特許
J-GLOBAL ID:200903051387982816
Ge-Sb-Te系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
椎名 彊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-070009
公開番号(公開出願番号):特開2000-265262
出願日: 1999年03月16日
公開日(公表日): 2000年09月26日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のGe-Sb-Te系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。【解決手段】 Ge-Te合金、Sb-Te合金について不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製し、Ge/Te=1/1、Sb/Te=0.5〜2.0なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行うことを特徴とするGe-Sb-Te系スパッタリング用ターゲット材の製造方法。
請求項(抜粋):
Ge-Te合金、Sb-Te合金について不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製し、Ge/Te=1/1、Sb/Te=0.5〜2.0なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行うことを特徴とするGe-Sb-Te系スパッタリング用ターゲット材の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C 14/34 A
, C22C 1/04 E
Fターム (10件):
4K018AA40
, 4K018AD20
, 4K018BA20
, 4K018DA33
, 4K018EA02
, 4K018KA29
, 4K029BA21
, 4K029BD12
, 4K029CA05
, 4K029DC04
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