特許

J-GLOBAL ID：200903051391332923

レジストパターン形成方法

発明者： 山田 善章
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149339
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343315
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 被加工基板上に反射防止膜を設けることなく安定したパターン寸法が得られるレジストパターン形成方法を実現する。【構成】 フォトレジスト膜3上に膜厚=0.25×(1/n)×(露光波長)×(2k-1)の水膜7をパドル形成した状態で露光を行う。但し、nは水の屈折率、kは正の整数である。【効果】 フォトレジスト膜3と水膜7との光学的条件からフォトレジスト膜3内での多重反射が防止され、実露光量の変動が抑制され安定したパターン寸法が得られる。

請求項（抜粋）：

被加工基板上のフォトレジスト膜を形成した後露光を行いレジストパターンを形成する方法において、上記フォトレジスト膜を形成後、このフォトレジスト膜上に水を膜厚=0.25×(1/n)×(露光波長)×(2k-1)となるようパドル形成した状態で露光を行うようにしたことを特徴とするレジストパターン形成方法。但し、nは水の屈折率、kは正の整数である。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 501