特許

J-GLOBAL ID：200903051392986811

半導体装置の製造方法

発明者： 鮎川 あきつ ,  大西 茂夫
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102183
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【構成】 側壁にサイドウォールが形成されたゲート電極がゲート酸化膜を介して配設されている半導体基板のソース/ドレイン領域となる部分に、酸化膜を介して不純物をイオン注入して中温熱処理を行う工程、半導体基板上の酸化膜を除去した後、アンモニア雰囲気下で高温熱処理を行う工程を含む半導体装置の製造方法。【効果】 酸化膜を通してイオン注入された半導体基板に生じる挿入型の欠陥が、アンモニア雰囲気下で高温熱処理を行うことで、空孔を半導体基板内に強制的に導入することができ、それにより欠陥のない不純物拡散領域が形成できる。従って、リーク電流を低下させることができ、歩留りを向上させる効果がある。

請求項（抜粋）：

側壁にサイドウォールが形成されたゲート電極がゲート酸化膜を介して配設されている半導体基板のソース/ドレイン領域となる部分に、酸化膜を介して不純物をイオン注入して中温熱処理を行う工程、半導体基板上の酸化膜を除去した後、アンモニア雰囲気下で高温熱処理を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 H