特許

J-GLOBAL ID：200903051395205543

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 尾内 敏彦 ,  坂田 肇 ,  内田 護 ,  大栗 宣明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107746
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053619
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】AlGaAs/GaAs系の半導体などにおいて、一度大気に晒したAlGaAsなどの上に再びAlGaAs、GaAsなどを再成長する方法及びそれで製造さられた装置である。【構成】基板1上にエピタキシャル結晶2、3、4、5を成長する。光ガイド層5の上にレジストで回折格子パターンを形成し、僅かなエッチングを行って浅い回折格子g1を作製後、一部を他のレジストでカバーし、更にエッチングを行って通常の回折格子g2を作製する。その後、光ガイド層5上に上部クラッド層6等を再成長する。光ガイド層5の上には、荒い回折格子と細かい回折格子を重ねて形成し、その上に上部クラッド層6等を再成長してもよい。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にエピタキシャル成長してなる装置の製造方法において、第1の成長工程と、一度成長を中断し成長炉から外部に出す工程と、再度成長炉に投入し第2の成長を行う工程とを少なくとも含み、前記一度成長を中断し成長炉から外部に取り出す工程が、前記第1の成長工程の最終エピタキシャル結晶表面にフォトリソグラフィ工程とエッチング工程等からなる微細凹凸形状を形成する工程を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-126882
  
• 特開昭53-086162