特許

J-GLOBAL ID：200903051395962859

トランジスタとそのトランジスタの製造方法及びこれを適用する有機発光ディスプレイ

発明者： 野口 隆 ,  金 鍾 萬 ,  權 章 淵 ,  朴 敬 培 ,  鄭 智 心 ,  林 赫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341800
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189218
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】トランジスタとそのトランジスタの製造方法及びこれを適用する有機発光ディスプレイを提供する。【解決手段】相互に平行して配置され、チャンネル領域とチャンネル領域の両側にドーピングされた二つの高伝導領域とを有する二つの多結晶シリコン層10a、10bと、二つの多結晶シリコン層10a、10bのチャンネル領域に対応して配置され、二つの多結晶シリコン層10a、10bと交差するように形成されたゲート12と、ゲート12と多結晶シリコン層10a、10bとの間に介在されるゲート絶縁層と、を備え、ゲート12の一側端部に隣接して形成され、ニつの多結晶シリコン層10a、10bのチャンネル領域と一側の高伝導領域との間に低伝導領域が形成されている構造を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相互に平行して配置され、チャンネル領域とチャンネル領域の両側にドーピングされた二つの高伝導領域とを有する二つの多結晶シリコン層と、 前記二つの多結晶シリコン層のチャンネル領域に対応して配置され、前記二つの多結晶シリコン層と交差するように形成されたゲートと、 前記ゲートと前記多結晶シリコン層との間に介在されるゲート絶縁層と、を備え、 前記ゲートの一側端部に隣接して形成され、前記ニつの多結晶シリコン層のチャンネル領域と一側の高伝導領域との間に低伝導領域が形成されている構造を有することを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50

FI (5件)：

H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618F ,  H05B33/14 A

Fターム (35件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開第2002-156923号公報