特許

J-GLOBAL ID：200903051398027875

プラズマ処理装置

発明者： 三浦 秀彦 ,  板垣 光
出願人/特許権者： FASL JAPAN 株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295980
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134495
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】容量結合成分の発生を低減または防止する。【解決手段】多数のスリットS1、S2、S3、S4を有し、円盤状の外縁から中心に向かうスリットS1は中心より深く形成され、外縁から中心に向かってスリットS2、S3、S4の密度が疎になるように構成された静電遮蔽板10を、プラズマ処理装置のアンテナコイルとリアクタチャンバの間に設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

アンテナコイルで発生させた電磁波を、排気した処理室内に導入し高密度プラズマを発生させて、試料を処理するプラズマ処理装置において、 前記アンテナコイルと前記処理室の間に設けられ、多数のスリットを有し、円盤状の外縁から中心に向かう前記スリットの少なくとも1本は、前記中心より深く形成され、前記外縁から前記中心に向かって前記スリットの密度が疎になるように形成された静電遮蔽板を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  H05H1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101C ,  B01J19/08 H ,  H05H1/46 L

Fターム (15件)：

4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075CA24 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC09 ,  4G075FA01 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13