特許
J-GLOBAL ID：200903051400288525
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291425
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140643
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 特性の良いn型cBN-p型ダイアモンドのヘテロ接合をもつ素子を提供する。【構成】 図1は、本発明の半導体装置について、ダイオードを構成した場合の構成例を示したものである。このダイオードは、絶縁性の基板101(cBN又はダイアモンド),n型で低抵抗のcBN層110,p型のダイアモンド層120,アノード,カソードの電極130a,130bを備え、cBN層110及びダイアモンド層120によるヘテロ接合をもつ素子である。
請求項（抜粋）：
立方晶窒化硼素が高温高圧の下で溶媒から析出する温度以上の融点をもつ基板上に、高温高圧の下で立方晶窒化硼素を溶媒から析出させて立方晶窒化硼素を主成分とした第1の導電型の層を形成し、前記第1の導電型の層上に、気相からダイアモンドを結晶成長させて第2の導電型の層を形成する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/91
, H01L 29/12
, H01L 29/205
