特許

J-GLOBAL ID：200903051404156259

冷陰極素子及びその製造方法

発明者： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  黒川 英雄 ,  白鳥 哲也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208766
公開番号（公開出願番号）：特開平10-040805
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 冷陰極部分が複数個の電子放出源となりうる構造を含んだ構成であることにより、効率的に電子線を放出する冷陰極素子を提供する。【解決手段】 導電層と、前記導電層上に形成された冷陰極部分と、前記冷陰極部分から電子を引き出すためのゲート電極とを備えた冷陰極素子であって、前記冷陰極部分が複数個の電子放出源となりうる構造を含む。また平均粒径が0.2 μm以下の粒子状のダイヤモンドを導電層上に分布させる工程、あるいは平均粒径が0.2 μm以下の粒子状のダイヤモンドを導電層に埋め込ませる工程を含むことによって、冷陰極材料として非常に適したダイヤモンドを電子放出源となりうる構造である微小粒子あるいはその凝集体の形態で導電層上あるいは導電層表層に再現性よく配置できるので、容易に高効率な冷陰極素子を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

導電層と、前記導電層上に形成された冷陰極部分と、前記冷陰極部分から電子を引き出すためのゲート電極とを備えた冷陰極素子であって、前記冷陰極部分の電子放出源となりうる部分が複数個に分割した構成であることを特徴とする冷陰極素子。

IPC (3件)：

H01J 1/30 ,  C30B 29/04 ,  H01J 9/02

FI (3件)：

H01J 1/30 A ,  C30B 29/04 W ,  H01J 9/02 B