特許
J-GLOBAL ID：200903051405917857
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259545
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107257
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 従来のFETに比べ、ゲートリーク電流の増大はなく、かつ、ソース抵抗およびドレイン抵抗の低い新規なFETを提供すること。【解決手段】 変調ドープ構造の電界効果トランジスタにおいて、チャンネル層403と電子供給層405の間、もしくは電子供給層405の中に、電子親和力が電子供給層とチャンネル層の電子親和力の中間の値であり、電子移動度が電子供給層の電子移動度よりも大きい層404を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この基板上に形成されたチャンネル層となる第1の半導体層と、この第1の半導体層上に形成され、該第1の半導体層の電子親和力より小さい電子親和力を持つ第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間、もしくは前記第2の半導体層の中に設けられた第3の半導体とを有し、前記第3の半導体の電子親和力は、前記第2の半導体層の電子親和力よりも電子の熱エネルギー分以上大きく、前記第1の半導体層の電子親和力より小さく、前記第3の半導体の電子移動度は、前記第2の半導体層の電子移動度より大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
