特許
J-GLOBAL ID：200903051415737431

半導体装置及びその製造方法

発明者：
山崎 英之

山崎 英之 について

, 
平岡 佳子

平岡 佳子 について

, 
三谷 祐一郎

三谷 祐一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110668
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、絶縁破壊寿命が長く、長期的な信頼性に優れたゲート絶縁膜を備えた高速動作が可能である半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板の表面にゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成し、さらにゲート電極の両側にソーズ・ドレイン拡散層を形成してnチャネルMOSトランジスタを作成するMOSトランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜の構成原子の同位体存在度を99.78%以上に高めたゲート絶縁膜を形成してなることを特徴とする半導体装置およびその製造方法。
請求項（抜粋）：
基体表面に形成された半導体層と、この半導体層の表面に形成された酸化膜とを有する半導体装置において、前記酸化膜中の酸素原子の同位体の内の一種が99.78%以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (9件)：
5F040DC01 ,  5F040ED07 ,  5F058BA01 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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